PBSS8110Y T/R datasheet
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>> PBSS8110Y T/R 两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
PBSS8110Y T/R
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
PBSS8110Y T/R PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—基极电压 VCBO
120 V
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
5 V
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
100 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min
150 at 1 mA at 10 V
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UMT
相关资料
属性
链接
代理商
PBSS8110Y T/R
PBSS8110Y,115
PBSS8110YT/R
PBSS8110Z
PBSS8110Z,135
PBSS8110Z/T3
供应商
公司名
电话
深圳市远晨电子有限公司
0755-83972258
周小姐/詹小姐
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
深圳市德力诚信科技有限公司
13305449939
王小姐
PBSS8110Y T/R 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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